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利用电沉积Ni纳米晶制备无缠绕阵列碳纳米管

鲍桥梁 冉 祥 张 晗 祁 祥 傅 强 潘春旭

鲍桥梁, 冉 祥, 张 晗, 祁 祥, 傅 强, 潘春旭. 利用电沉积Ni纳米晶制备无缠绕阵列碳纳米管. 新型炭材料, 2008, 23(01): 44-50.
引用本文: 鲍桥梁, 冉 祥, 张 晗, 祁 祥, 傅 强, 潘春旭. 利用电沉积Ni纳米晶制备无缠绕阵列碳纳米管. 新型炭材料, 2008, 23(01): 44-50.
BAO Qiao-liang, RAN Xiang, ZHANG Han, QI Xiang, FU Qiang, PAN Chun-xu. 利用电沉积Ni纳米晶制备无缠绕阵列碳纳米管. New Carbon Mater., 2008, 23(01): 44-50.
Citation: BAO Qiao-liang, RAN Xiang, ZHANG Han, QI Xiang, FU Qiang, PAN Chun-xu. 利用电沉积Ni纳米晶制备无缠绕阵列碳纳米管. New Carbon Mater., 2008, 23(01): 44-50.

利用电沉积Ni纳米晶制备无缠绕阵列碳纳米管

详细信息
    通讯作者:

    潘春旭

  • 中图分类号: TB 383 TQ 127.1+1

利用电沉积Ni纳米晶制备无缠绕阵列碳纳米管

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    Corresponding author: PAN Chun-xu
  • 摘要: 以金属Cu基板上脉冲电沉积Ni纳米晶薄膜作为催化剂,在乙醇火焰中制备了直立、无缠绕阵列碳纳米管。利用原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电镜(TEM)和激光拉曼谱仪(Raman)对不同工艺制备的Ni纳米晶薄膜和阵列碳纳米管的形貌进行了表征。结果表明:通过综合控制脉冲电沉积参数、电沉积时间和火焰中的合成时间,可以获得大面积、密集、均匀、直立、无缠绕、形态良好、重复性高的阵列碳纳米管。脉冲电沉积Ni纳米晶和合成无缠绕阵列碳纳米管的最佳工艺条件是:脉冲电沉积正、负脉冲的工作频率为154Hz、占空比为38.5%、电沉积时间为1min、基板预热至600℃、火焰中停留1min。通过对生长机理的研究发现:当电沉积时间较短时,获得的Ni纳米晶薄膜较薄,具有较高的局域粗糙程度和催化活性,有利于碳纳米管的同时大面积“拥挤生长”形成阵列结构;另外,通过调整脉冲电沉积参数,可以控制Ni纳米晶的大小,从而控制碳纳米管的长径比,当长径比较小时即可获得无缠绕的阵列碳纳米管。
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出版历程
  • 收稿日期:  2007-12-01
  • 录用日期:  2008-03-20
  • 修回日期:  2008-01-17
  • 刊出日期:  2008-03-20

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