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空位和Si掺杂对In在石墨烯上吸附的影响

戴宪起 孙永灿 赵建华 危书义

戴宪起, 孙永灿, 赵建华, 危书义. 空位和Si掺杂对In在石墨烯上吸附的影响. 新型炭材料, 2011, 26(01): 46-51.
引用本文: 戴宪起, 孙永灿, 赵建华, 危书义. 空位和Si掺杂对In在石墨烯上吸附的影响. 新型炭材料, 2011, 26(01): 46-51.
DAI Xian-qi, SUN Yong-can, ZHAO Jian-hua, WEI Shu-yi. Effect of vacancies and Si-dopant on In adsorption on graphene. New Carbon Mater., 2011, 26(01): 46-51.
Citation: DAI Xian-qi, SUN Yong-can, ZHAO Jian-hua, WEI Shu-yi. Effect of vacancies and Si-dopant on In adsorption on graphene. New Carbon Mater., 2011, 26(01): 46-51.

空位和Si掺杂对In在石墨烯上吸附的影响

基金项目: 国家自然科学基金(64076407),河南省高校科技创新人才支持计划(2008HASTIT030).
详细信息
    作者简介:

    戴宪起(1964-)|男|河南南乐人|河南师范大学教授|博士生导师|主要从事纳米材料及表面物理的研究. Tel: 13503805825, E-mail: xqdai@hotmail.com

  • 中图分类号: TQ127.1+1

Effect of vacancies and Si-dopant on In adsorption on graphene

Funds: National Natural Science Foundation of China (60476047) and Sponsored by Program for Science & Technology Innovation Talents in Universities of Henan Province (2008HASTIT030).
More Information
    Author Bio:

    DAI Xian-qi (1964-), male, Professor, Ph.D. Supervisor, engaged in research of Surface physics and nano-materials. Tel:+86-13503805825, E-mail: xqdai@hotmail.com

  • 摘要: 利用第一性原理方法计算了空位和Si(硅)替位掺杂对In(铟)原子在石墨烯上吸附的影响。结果表明:在低覆盖度下,空位比Si替位掺杂更能增强In在石墨烯上的吸附,主要原因在于空位引入更多的悬挂键,加强了In和石墨烯之间相互作用。而对于较高覆盖度,Si替位掺杂却比空位对In吸附在石墨烯上的影响更强。无论是较高覆盖度还是低覆盖度,空位和Si替位掺杂均增强了In在石墨烯上的吸附。
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出版历程
  • 收稿日期:  2010-04-12
  • 录用日期:  2011-03-07
  • 修回日期:  2011-02-10
  • 刊出日期:  2011-02-20

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